TransEON Inc.

Objet publié

L'objectif du projet proposé est de développer une plateforme de circuit intégré au nitrure de gallium (GaN) qualifiée pour l'espace, capable de performances exceptionnelles pour les communications par satellite et les systèmes radar spatioportés de prochaine génération. En particulier, à l'issue de ce projet, la plateforme de puces à transistors au GaN proposée sera exploitable à des fréquences et des niveaux de puissance de signal nettement plus élevés que les plateformes existantes. Plus précisément, la plateforme à puces proposée sera capable de fonctionner dans des bandes de fréquences à ondes millimétriques complexes, ce qui permettra d'améliorer considérablement la largeur de bande des futures constellations de télécommunications par satellites en orbite terrestre basse (LEO) pour améliorer l'internet par satellite dans les zones rurales. On prévoit que le MOSFET au GaN offrira des performances de premier ordre, dépassant celles des plateformes concurrentes dans les environnements terrestres et spatiaux, tout en fournissant simultanément une capacité de fabrication commerciale de semi-conducteurs au Canada.