TransEON Inc.

Objet publié

L’objectif du projet proposé est de poursuivre le développement des composants nécessaires à la mise en place d’une plateforme de circuits intégrés monolithiques hyperfréquences (MMIC) avec transistor à effet de champ métal-oxyde semiconducteur (MOSFET) au nitrure de gallium (GaN). Cette plateforme conviendra à la fabrication de puces à radiofréquences (RF) hautement intégrables et offrira des performances exceptionnelles pour les communications par satellite de la prochaine génération et les systèmes radars spatioportés. En particulier, une fois le projet achevé, un amplificateur de puissance MMIC en bande Q de démonstration sera fabriqué pour concrétiser les avantages de cette plateforme par rapport aux solutions concurrentes à des fréquences extrêmement élevées (EHF). En raison de la nouveauté de la technologie MOSFET au GaN sous-jacente, de nouvelles méthodes de fabrication et méthodologies de conception seront développées pour réaliser la plateforme MMIC souhaitée. Parmi les avantages futurs potentiels découlant directement de ce projet figurent des améliorations significatives de la vitesse, de la latence et du coût de l’internet par satellite pour le public canadien, grâce à l’amélioration du matériel de communication par satellite.