Synthergy Inc

Objet publié

Le nitrure de silicium (SiN) est un matériau important dans l'industrie des semi-conducteurs, en particulier pour les applications de logique et de mémoire. Le dépôt de couche atomique (DCA) est adapté à la croissance des films SiN en raison de son contrôle extrêmement précis de l'épaisseur des films et de sa haute conformité. Actuellement, la plupart des processus DCA sont affectés par des facteurs non idéaux, y compris l'entrave stérique et les processus de croissance parasitaires non DCA. Par conséquent, ce projet vise à quantifier l'incidence de ces non-idéalités et des divers paramètres de croissance sur la croissance de DCA SiN en développant un modèle quantitatif de DCA. Ce modèle DCA prédictif peut caractériser l'efficacité du dépôt de SiN et ainsi fournir une feuille de route pour réduire l'empreinte carbone du processus DCA SiN.