University of Waterloo
$141,350.00 CAD
- Ministère
- Conseil national de recherches Canada
- Pays bénéficiaire
- Canada
- Exercice financier
- 2025-2026
- Période de l'entente
- 13 mars 2026 – 31 mars 2028
- Référence
- nrc-cnrc:172-2025-2026-Q4-1040497
Objet publié
Semi-conducteur composé à large bande interdite et à forte force de liaison, le nitrure de gallium (GaN) a la capacité de fonctionner dans des environnements extrêmes. Sa forte cohésion lui confère une résistance intrinsèque aux rayonnements, tandis que sa large bande interdite permet un fonctionnement à haute température (ou à température ambiante avec une concentration réduite en porteurs). Ce projet vise à étudier les propriétés du GaN soumis à un rayonnement intense, ainsi que deux types de capteurs. Ces capteurs exploitent un phénomène de mécanique quantique lié au gaz d’électrons bidimensionnel (2DEG) qui se forme à la jonction hétérogène GaN/AlGaN.
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